SiC модули с использованием карбида кремния Semikron
Описание
Модули SiC Semikron с использованием карбида кремния характеризуются высокой частотой коммутации при незначительной потери мощности.
При производстве гибридных силовых модулей внедрена инновационная технология IGBT в сочетании с диодами Шоттки. Устройства SiC Semikron востребованы для солнечных инвертеров, высокочастотных источников питания.
Эксплуатационные показатели силовых модулей
Гибридные силовые модули рассчитаны на нагрузку 50…600 А при выходном напряжении 1200 В. Микропроцессорные устройства SiC SEMIKRON поставляются в 6 исполнениях: MiniSKiiP, SEMITOP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit и SKiM63 /93.
Гибридный силовой модуль SKiiP25AC12F4V19 SiC Semikron
Эксплуатационные параметры:
- максимальное напряжение на выходе 1200 В;
- максимальная нагрузка по току 50 А;
- 4 коммутируемых контактов;
- быстродействие 8,3 мс;
- оптимальная рабочая температура -40…+125 °C;
- допустимая влажность 5…85%;
- размеры 59х52х16 мм.
Гибридный силовой модуль SKM200GB12F4SiC3 SiC Semikron
Эксплуатационные параметры:
- максимальное напряжение на выходе 1200 В;
- максимальная нагрузка по току 200 А;
- 4 коммутируемых контактов;
- быстродействие 8,3 мс;
- оптимальная рабочая температура -40…+175 °C;
- допустимая влажность 5…85%;
- размеры 106х62х31 мм.
Использование гибридных силовых модулей Semikron с кремниевыми диодами Шоттки исключает необходимость в дополнительных фильтрах на стороне выхода.