Силовые MOSFET Semikron модули

Описание

Силовые модули MOSFET Semikron (полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников) характеризуются высокоскоростным переключением при незначительных потерях мощности. Устройства поставляются в нескольких конфигурациях (одиночный коммутатор, полумост, однофазный или трехфазный мост) в исполнении SEMITOP или SEMITRANS.

Эксплуатационные показатели модулей MOSFET Semikron

Модули MOSFET Semikron предназначены для диапазона напряжения 55…600 В и номинального тока 40…290 А. Предлагаются серийные модели с интегрированными 1…4 чипами в различных типоразмерах.

Транзистор SKM111AR MOSFET Semikron

Эксплуатационные параметры:

максимальное напряжение на затворе 20 В;
дифференциальное напряжение 2,1…4,0 В;
максимальная сила тока 100 А;
допустимое сопротивление 9 мОм;
1 встроенный чип, 4 контакта;
рабочая температура -40…+150 ° C;
размеры корпуса 78х48х30 мм.

Транзистор SKM180A020 MOSFET Semikron

Эксплуатационные параметры:

максимальное напряжение на затворе 20 В;
дифференциальное напряжение 2,5…3,3 В;
максимальная сила тока 80 А;
допустимое сопротивление 13,5 мОм;
4 встроенных чипа, 16 контактов;
рабочая температура -40…+150 °C;
размеры корпуса 41х28х12 мм.

Силовая электроника MOSFET SEMIKRON применяется в системах управления напряжением производственных линий, солнечных инверторах, зарядных устройствах электромобилей. Широкий ассортимент серийных моделей MOSFET Semikron позволяет подобрать подходящий вариант для любых приложений.